Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники
Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Савчин В.П., Вакив Н.М.
Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2013, 560 стр.
Учебное пособие, состоящее из двух частей, посвящено полупроводниковой фотоэлектронике. В первой части изложены физические принципы фотоэлектрических явлений в полупроводниках и полупроводниковых структурах, в частности квантово-размерных. Во второй части рассмотрены физические принципы работы, конструкции и основные характеристики целого ряда полупроводниковых фотоприемников, как дискретных, так и многоэлементных. Рассмотрены способы и варианты построения оптических фотоэлектронных систем как видимого, так и инфракрасного диапазонов.
Для студентов старших курсов высших учебных заведений физических, радиофизических и физико-технических специальностей, аспирантов и специалистов, работающих в области фотоэлектроники.
Учебное пособие, состоящее из двух частей, посвящено полупроводниковой фотоэлектронике. В первой части изложены физические принципы фотоэлектрических явлений в полупроводниках и полупроводниковых структурах, в частности квантово-размерных. Во второй части рассмотрены физические принципы работы, конструкции и основные характеристики целого ряда полупроводниковых фотоприемников, как дискретных, так и многоэлементных. Рассмотрены способы и варианты построения оптических фотоэлектронных систем как видимого, так и инфракрасного диапазонов.
Для студентов старших курсов высших учебных заведений физических, радиофизических и физико-технических специальностей, аспирантов и специалистов, работающих в области фотоэлектроники.
Langue:
russian
ISBN 10:
594621411X
ISBN 13:
9785946214117
Fichier:
PDF, 7.38 MB
IPFS:
,
russian0